CMD179C3不是款萬能的雙穩定性混頻器,通過無鉛外表貼裝芯片封裝,該用于16至26 GHz期間的下上轉化成技術應用。主要是因為優化系統了巴倫架構,CMD179C3對rf射頻和中頻串口都具備很高的防曬隔離霜度,但會就可以在低至+9dBm的低驅動軟件電平下工作上。CMD179C3也可以很會地安裝為帶內部混頻器和工率安排器的圖相遏制混頻器或一側帶調試器。
顯著特點
低互轉損耗率
高隔離霜度
寬中頻寬寬
處于被動雙不平衡量拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT打包封裝
微波加熱元電子元件
頻點LO / RF(GHz):16 - 26
速率IF(GHz):DC - 9
增益值(dB):-6.5
LO-RF隔離(dB):40
LO-IF屏蔽(dB):48
輸人IP3(dBm):17
包:3x3 mm QFN
CMD179C3不是款萬能的雙穩定性混頻器,通過無鉛外表貼裝芯片封裝,該用于16至26 GHz期間的下上轉化成技術應用。主要是因為優化系統了巴倫架構,CMD179C3對rf射頻和中頻串口都具備很高的防曬隔離霜度,但會就可以在低至+9dBm的低驅動軟件電平下工作上。CMD179C3也可以很會地安裝為帶內部混頻器和工率安排器的圖相遏制混頻器或一側帶調試器。
顯著特點
低互轉損耗率
高隔離霜度
寬中頻寬寬
處于被動雙不平衡量拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT打包封裝