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NPT2010B大功率射頻功率晶體管
NPT2010B大功率射頻功率晶體管
重要性叁數

NPT2010B大工率微波射頻工率單晶體管工作任務幾率:DC-2.2GHz 最大功率: 100W-50dBm高耐用性瓷質燙金芯片封裝GaN施工工藝 


品牌:MACOM

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NPT2010 GaN-HEMT一種聯通寬帶晶胞管,為DC-2.2ghz做工作而seo。該儀器設計構思用在連續式波、脈沖激光和曲線操控,輸送公率級為100W(50dBm),所采用帶螺絲法蘭盤的工業園標準規定金屬瓷磚封口。

有特點

適非線性和飽和點操作

可從DC-2.2 GHz調諧

48V操作方法

工藝標準單位包

高引流熱效率(>60%)

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