硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的聯通寬帶工作
- NPTB00004的混用品減低
- 排水障礙的速度更快(> 55%)
- 相關行業規范塑料件再生
- 28V操控
應用領域
- 航班航天科技與航空航天
- 聯通寬帶通用性
- 國防軍事通信
- 極權主義
- VHF / UHF / L光波聲納
- wifi基本場地設施
常常
徽波元電器元件封裝