CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該機械設備利用UMMS 0.25μm公率pHEMT工藝設備造成,以及在的基板的通孔和空氣的橋。
關鍵在于細化制造全過程:
心片的后邊而且rf射頻和直流電源等電位連接
焊盤和上面均渡金,以與共晶集成電路芯片銜接做法和熱壓鍵合技藝兼容。
徽波元器材
CHA7114-99F 增加器– HPA微波射頻上行寬帶(GHZ): 8.5-11.5增加收益(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB輸入(dBm):-讀取熱效率(dBm):39.8備貨貨期:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該機械設備利用UMMS 0.25μm公率pHEMT工藝設備造成,以及在的基板的通孔和空氣的橋。
關鍵在于細化制造全過程:
心片的后邊而且rf射頻和直流電源等電位連接
焊盤和上面均渡金,以與共晶集成電路芯片銜接做法和熱壓鍵合技藝兼容。