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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管
為重要性能指標

CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

Glin(dB)@幾率(GHz): 14 @ 6崗位頻率(GHz):更多6個達到飽和狀態馬力(W):  20PAE(%)@平率(GHz): 60 @ 6進貨交貨:3-4周

品牌:UMS微波

物料內容說明

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該類產品為統計和中國聯通等各式各樣RF電源開關選用提拱專用和寬帶網絡完成工作方案。

它是依托于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術工藝開發管理的,另外特別滿足RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006匯編指令的法規。

它以裸電源芯片類型提出來,且須要外界篩選集成運放。


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