CGH21120F不是種氮化鎵(GaN)高手機移動率多結晶管(HEMT),專為高率、高增益值和網絡帶寬業務能力而來設計,這導致CGH21120F異常最適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE增加器應用軟件。多結晶管選取陶瓷廠家/合金金屬法蘭盤芯片封裝。
微波通信元電子元器
CGH21120F大電率寬帶網氮化鎵功效120W1.8-2.3GHz增益控制15dB的效率35%@20W Pave外盤存量