常常
紅外光元集成電路芯片
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場因素納米線管BI系列產品的是一位置。HiFET是一種種要素配比的國家專利儀器手機配置，中用直流高壓、大電率和光纖寬帶使用。這一要素的總元器件封裝內圍為2毫米（mm）（兩大1厘米的FET關聯）。AM010WH2-BI-R專為中輸出功率微波射頻采用而設計方案，操作頻繁led光通量12GHz。它也是很大電率系統的夢想能夠小程序。BI類別用于非常規來設計的瓷質二極管封裝，用于嵌到式布置方案，有耐折（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝形式頂端的法蘭片一并用于直流電源跨接、rf射頻跨接和熱短信通道。此部門按照RoHS。
的特征
更是高達12GHz的高頻率實際操作
高增益控制和高電功率，P1dB=30dbm@3.5GHz
漆層貼裝
行之有效排熱的最底層
運用
手機無線本機環公路網絡
蜂窩無線網絡電通訊網絡
WLAN、中繼器和超局域
Ck線VSAT
汽車雷達