常常
徽波元電子器件
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系列產品的一組成部分分。HiFET是一種種大部分相匹配的知識產權設施環保設備硬件配置，適用于各類高壓、大效率、高波形和移動寬帶應該用。該器件的總設施環保設備外層為4分米。AM010MH4-BI-R專為高功效微波射頻應用而設置，工作中頻段高達模型3GHz。BI系統運用特殊化設計構思的陶瓷制品打包封裝，彎曲變形或挺直的引線和卡箍片運用加入式安裝使用措施。包裝盒底邊的卡箍片而且當作直流變壓器接地裝置裝置、頻射接地裝置裝置和熱管道。在這種HiFET合乎RoHS標準的。
特證
28V漏極偏壓
寬帶網這部分匹配好：DC–2.4GHz
高達到3 GHz的高頻控制
高增益值：G=19dB@2.0GHz
高公率：P1dB=31dBm@2.0GHz
高波形：IP3=46dBm@2.0GHz
很好散熱性能的瓷器設計
采用
移動寬帶技術應用
高壓力20至28V
手機無線本地人環公路網絡
PC基站設備
WLAN、中繼器和超局域網共享
C中波段VSAT
航班智能網絡通信