常常
徽波元電子電子原件
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI款型的一臺分。HiFET不是種部位相配的發明權裝置選配，主要用于高壓電、大耗油率和帶寬應用軟件。該元件的總裝置外場為12.8公分。AM032MH4-BI-R專為高輸出微波通信采用而制定，工作中規律獨角獸高達6GHz。BI產品系列通過個性化方案的陶瓷圖片封裝形式，拉伸或直挺挺的引線和法蘭部部通過插入圖式施工措施。標簽印刷下方的法蘭部部一起身為電流接地極線、頻射接地極線和熱管道。本身HiFET非常符合RoHS規范標準。
結構特征
28伏漏極偏壓
聯通寬帶局部相匹配：DC–2.4GHz
將高達6GHz的低頻操作流程
高增加收益：G=19dB@2GHz
高瓦數：P1dB=35dBm@2.0GHz
高線形：IP3=50dBm@2.0GHz
有效的散熱的衛浴陶瓷紙盒包裝
采用
帶寬使用
壓力20至28V
無線路由網上環鐵路網絡
PC移動基站
WLAN、中繼器和超局域網ip
C波長VSAT
航天微電子通信網