AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI產品的這地方。HiFET是用在進行高壓、大工率和寬帶網選用的部份匹配好元件運行環境。該部份的總元件外層為1分米(倆個0.5亳米串聯和并聯場現象氯化鈉晶體管)。AM005WH2-BI-R專為高輸出徽波技術應用而定制,運轉幾率能達12GHz。它也是更好功效儀器的人生理想驅動包程序流程。BI一系列采取唯一性開發的陶瓷圖片封裝,采取融入式裝設玩法,有耐折(BI-G)或直(BI)絕緣線。封口底的法蘭部還用來作為直流變壓器跨接、頻射跨接和熱車道。此區域契合RoHS。
本質特征
高達獨角獸12GHz的低頻運作
高增加收益和高最大功率,P1dB=26 dBm@3.5 GHz
的表面貼裝
很好的蒸發器的底部
應用軟件
無線網地方環道路絡
蜂窩無線網電無線通信
WLAN、中繼器和超的局域網
C頻譜VSAT
聲納