AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI題材的有大部分。HiFET是一個種部份配比的知識產權設施增加,適用高壓變壓器、大工作效率和網絡帶寬操作。該部份的總設施外場為4mm(倆個2毫米(mm)FET串聯和并聯)。AM020WH2-BI-R專為高耗油率紅外光技術應用而結構設計,工作中頻繁 高達12GHz。它也是最大耗油率儀器的抱負驅動包軟件。BI系統用到特出定制的陶瓷廠家封口,用到融入到式使用方式,有打彎(BI-G)或直(BI)絕緣線。裝封下端的蝶閥法蘭并且做為整流保護接地保護、rf射頻保護接地保護和熱工作區。此組成部分滿足RoHS。
優點
萬代高達12GHz的中頻運作
高收獲和高功效,P1dB=33 dBm@4 GHz
接觸面貼裝
有效性水冷的下層
采用
手機無線本土環道路絡
蜂窩無限電電力
WLAN、中繼器和超內網
C股票波段VSAT
預警雷達