CMD254C3也是款高IP3雙和平混頻器,用于無鉛的表面貼裝打包封裝,可以于11至20 GHz的前后更換APP。可能簡化了balun構成,CMD254C3對rf射頻和中頻接口都極具很高的要進行隔離度,因此能能在低至+15dBm的低驅動包電平下做工作。CMD254C3不錯很便捷地標準配置成帶外部結構混頻器和效率分配權器的影像抑制性混頻器或單側帶熬制器
有特點
低轉為衰減
高IP3
高隔離霜度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝形式
規律LO / RF(GHz):11-21
頻繁IF(GHz):DC - 6
增益控制(dB):-6
LO-RF底部隔離(dB):48
LO-IF分隔(dB):44
讀取IP3(dBm):22
包:3x3 mm QFN
CMD254C3也是款高IP3雙和平混頻器,用于無鉛的表面貼裝打包封裝,可以于11至20 GHz的前后更換APP。可能簡化了balun構成,CMD254C3對rf射頻和中頻接口都極具很高的要進行隔離度,因此能能在低至+15dBm的低驅動包電平下做工作。CMD254C3不錯很便捷地標準配置成帶外部結構混頻器和效率分配權器的影像抑制性混頻器或單側帶熬制器
有特點
低轉為衰減
高IP3
高隔離霜度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝形式