午夜一区二区三区-国产午夜精品一区二区-一区二区三区亚洲-亚洲激情综合

芯片衰減器

注重基本參數

電源芯片衰減器,最快250瓦，最快18 GHz，規范衰減器在一切溫差下勻稱等地下降RF輸出，而溫差可變氣門正時存儲集成電路芯片開發為在中高溫下變大其衰減，以展示數據信息調平選用軟件要求的最好崩潰。斑片狀衰減器適用變大器電路原理，考慮器，上/下轉型器，相位相匹配陣列和電開關選用軟件。選擇要求的樣式，能能在代有薄或厚電阻器的BeO，氮化鋁或腐蝕鋁陶瓷圖片上手工制造存儲集成電路芯片。

品牌：MACOM

品牌具體詳情介紹

電子器件衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040