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微波加熱元元器封裝
硅基氮化鎵寬帶晶體管，DC-6 GHz，5W，28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW，脈沖和線性操作而設計，采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，輸出功率水平高達5W（37 dBm）。在低于3GHz的頻率下，NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的寬帶網運動
- NPTB00004的代替品變低
- 落水管質量高（> 55％）
- 行業中基準塑膠板材再生
- 28V作業
應用領域
- 航班航天工程與飲水機
- 聯通寬帶普通
- 防御電力
- 實用主義
- VHF / UHF / L光波聲納
- 手機無線基礎知識場地設施