CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統完成標準的的pHEMT生產工藝制作業:柵極段長度0.25μm,完成的基板的通孔,氧氣橋和電子器材束柵極夜刻。
微波加熱元電子元件
CHA3666-99F 放大器– LNA
微波射頻網絡帶寬(GHZ): 6 - 17增益值(dB):21增益值同軸度(dB):0.5躁音彈性系數(dB):1.8P-1dB內容輸出(dBm):17定貨貨期:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統完成標準的的pHEMT生產工藝制作業:柵極段長度0.25μm,完成的基板的通孔,氧氣橋和電子器材束柵極夜刻。