CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該用電線路適用pHEMT的工藝打造,柵極間距為0.25μm,順利通過的基板的通孔,空氣中橋和電子設備束柵幻影刻技木打造。
它以滿足RoHS的SMD裝封出示。
微波射頻元元件
CHA3688aQDG 放大器– LNA
rf射頻傳輸速率(GHZ):12.5-30增益控制(dB):26增益控制同軸度(dB):2燥音指數公式(dB):2P-1dB轉換(dBm):14備貨交貨期:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該用電線路適用pHEMT的工藝打造,柵極間距為0.25μm,順利通過的基板的通孔,空氣中橋和電子設備束柵幻影刻技木打造。
它以滿足RoHS的SMD裝封出示。