CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路適用要求的pHEMT施工工藝打造:柵極長短0.25μm,進行的基板的通孔,水汽橋和手機束柵幻影刻。
它以電子器件表現形式提高。
徽波元元件
CHA2190-99F 放大器– LNA
微波射頻上行帶寬(GHZ):20 - 30增益值(dB):15增加收益同軸度(dB):0.5的噪音指數公式(dB):2.2P-1dB的輸出(dBm):11購貨貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路適用要求的pHEMT施工工藝打造:柵極長短0.25μm,進行的基板的通孔,水汽橋和手機束柵幻影刻。
它以電子器件表現形式提高。