CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該車輛為聲納和電信網絡帶寬等繁多RF外接電源用保證公用和網絡帶寬解決處理預案。
它是根據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術水平建設的,然而特點符合要求RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006信息的法律法規。
它以裸集成塊組織形式給出,和想要異常配對線路。
微波通信元元器件封裝
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@速度(GHz): 14 @ 6事業次數(GHz):最好6個飽合效率(W): 20PAE(%)@平率(GHz): 60 @ 6進貨交貨時間:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該車輛為聲納和電信網絡帶寬等繁多RF外接電源用保證公用和網絡帶寬解決處理預案。
它是根據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術水平建設的,然而特點符合要求RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006信息的法律法規。
它以裸集成塊組織形式給出,和想要異常配對線路。