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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

重要性技術指標

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射帶寬使用（GHz）： 1.2-1.4小表現增益控制（dB）：20電率（W）：200一些增益控制（dB）： > 14P-1dB內容輸出（dBm）：-PAE（％）： 52購貨貨期：3-4周

好產品情況詳細介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

比較最適合電磁雷達探測技術應用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設備上提到的。它立于準MMIC技術。

它主要采用密閉蝶閥法蘭瓷質金屬制電源適配器封口，可提高低寄生菌和低傳熱系數。