EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口橫向為120μm,0.152um。T形鋁制品泄水閘具備低電阻值和好品質的靠得住性。
該功率器件顯示信息出極其高的跨導,因此致使極其高的幾率和低噪音污染能。
它以集成電路芯片方法展示 ,有帶利用孔相連的源極,僅需受限制柵線和漏極線。
徽波元元器
EC2612-99F 晶體管
頻射資源帶寬(GHz): 交流電-40增加收益(dB):9.5噪聲源彈性系數(dB):1.5購貨貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口橫向為120μm,0.152um。T形鋁制品泄水閘具備低電阻值和好品質的靠得住性。
該功率器件顯示信息出極其高的跨導,因此致使極其高的幾率和低噪音污染能。
它以集成電路芯片方法展示 ,有帶利用孔相連的源極,僅需受限制柵線和漏極線。