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XC2100E-03S就是一款低剖面、高耐磨性20dB定向培養解耦電路器，所采用新式的最易的使用、生產加工信賴的外壁安裝程序封裝形式。它是為UMTS和別3G運用而設計的方案的。XC2100E-03S有能設計的方案用做電機工作功率和工作頻率查重，及其要有標準抑制解耦電路和低插入圖耗損率的VSWR監測站。它應該用做超過150瓦的大電機工作功率運用。與熱擴張指數為435的聚酰亞胺基片（如經堅持原則測試英文的FR0-435）和熱擴張指數相等。打造5/6錫鉛（XC2100A-20P）和6/6浸錫（XC2100A-20S）符合國家RoHS的性飾面。

XC2100E-03S的特征：?2000–2300兆赫?UMTS和某些3G?高電率?如此低的消耗?密實交叉耦合?高朝著性?制造十分友好型?磁帶和法杖?帶來了無鉛（含砷）或錫鉛?安全可靠，做好=0.41