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X3C09E2-20S
X3C09E2-20S
根本技術指標

X3C09E2-20S頻繁 (GHZ):0.8 - 1公率(W):225放入耗損(dB):0.05回波耗率(dB):20.079


品牌:Anaren

物料信息講述
X3C09E2-20S就是其中一個低步伐,高特性20dB專向交叉藕合器在其中一個新的有利使用的,制造廠融洽的從表面安轉芯片封裝。它是為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段app而的設計制作的。X3C09E2-20S是專為工作電壓電流和頻次查測,以其電壓電流駐波比監測數據而的設計制作的,在那處必須要 嚴格執行控住交叉藕合和低放耗損率。它能應用領域在可以達到225瓦的大工作電壓電流app。元器件開始過堅持原則的監定測試軟件,想一想是動用熱回縮規范標準值(CTE)的建材制造出的,這建材與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等熟悉基本的材質材料兼容。通過貼合RoHS規范標準的6/6浸錫飾面板生產方式


X3C09E2-20S特殊性:?800–1000兆赫?AMPS、GSM、WCDMA和LTE?高額定功率?極其低的材料耗費?融洽藕合?高所指性?生產的合理型?磁帶和秘藥?無鉛