在X3C21P1-03S是這個個低身份,性能方面的3dB混合式耦合電路器在這個新的便于使用的,制造技術友善的表面能安轉封裝形式。它是為LTE和WIMAX頻段運用而定制的。該X3C21P1-03S是專為發展電瓦數和低低頻噪音圖像運放電路,打上去數字信號分派和其他應該低插入圖耗費和協調一致的幅值和相位發展的運用而定制的。它應該于更是高達110瓦的高電瓦數運用。所需要的零部件早就過苛刻的技術鑒定考試,它們的是選擇熱變大因子(CTE)的素材研發的,某些素材與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等種類材料兼容。種植6個合乎RoHS標準規定的浸錫飾面板材。
常常
微波射頻元電子元件