Cree裝修公司的CMPA2560025F也是種鑒于氮化鎵(GaN)高網絡轉化率晶狀體管(HEMT)的片式紅外光集合控制電路(MMIC)。與硅或砷化鎵對比,GaN具極高的熱擊穿電阻、極高的飽和網絡漂移速度慢和極高的熱導率。與Si和GaAs晶狀體管對比,GaN-hemt還具極高的電功率相對密度和更寬的上行寬帶。這一MMIC含蓋一名兩極癥狀一致縮放器,使相對寬的上行寬帶需要在一名小的土地征用建筑面積的扭松封口,具銅鎢熱管風冷散熱器。