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微波通信元元件
AM025WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為2.5mm。它是一個個瓷質芯片封裝，上班頻點將高達8千兆赫。BI產品系列采取特殊的設計構思的工業陶瓷打包封裝，采取置入式安轉策略，含有回彎（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝下方的法蘭部還充當直流電源與地面、頻射與地面和熱管道。此部位符合標準RoHS。
特殊性
超過8GHz的中頻作業
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
外層貼裝
效果散熱的最底層
利用
高動態圖受到器
蜂窩遠程移動通信基站
移動寬帶和窄帶擴大器
雷達探測
測試英文實驗儀器
軍事戰爭
不干擾器