AM012WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總高寬比為1.25直徑。它是在是一個衛浴陶瓷雙包運作高達模型10千兆赫。BI品類利用獨特設計的概念的陶瓷廠家封裝形式,利用置入式裝的方式,中含微彎(BI-G)或直(BI)絞線。封裝類型邊側的法蘭部一同作為直流電保護地線、微波射頻保護地線和熱入口。此方面具有RoHS。
特殊性
達到了10GHz的低頻操作流程
收獲=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
外表面貼裝
可以有效風扇散熱的下層社會
用
高動向吸收器
蜂窩無線數字移動通信基站
寬帶網和窄帶增加器
雷達天線
測試測試議器
美國軍事
電磁干擾器