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微波射頻元元器封裝
AM005WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為0.5mm。它是一種個淘瓷封口，作業幾率電動車續航12ghz。BI產品利用特有設置的陶瓷圖片芯片封裝，利用內嵌式組裝方式方法，帶有彎折（BI-G）或直（BI）等電位連接線。封裝類型底邊的法蘭盤同時應用于交流電等電位連接、rf射頻等電位連接和熱的通道。此位置符合要求RoHS。
功能
超過12GHz的高頻率運作
增益值=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz
面貼裝
很好的，散熱處理的底部
應該用
高各式各樣發送器
蜂窩無線wifi移動通信基站
光纖寬帶和窄帶變大器
雷達探測
檢查實驗室設備
日本軍事
打擾器