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利用具備著獨特柵極偏置調節的并行性納米線管的GaN HEMT變大器的直線強化

公布的的時間：2018-05-04 13:53:07     閱覽：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：的使用具備自由柵極偏置管理的串連結晶管的GaN HEMT調小器的非線性增強學習。 GaN HEMT有較高的輸入模擬輸出工作效率體積和較寬的服務器帶寬工作效率。是，GaN HEMT的規則化先進典型地比GaAs集成電路芯片的規則化更差。文章要求沒事種簡略的方式來提生GaN HEMT的規則化度。所要求的方式是將集成電路芯片劃分成與自由操縱的柵極偏置電壓值并接的諸多子單位，其次將工作效率合并給子單位輸入模擬輸出。辦演擴大器..
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