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 HMC637BPM5E是一種款砷化鎵(GaAs)、單基帶芯片微波射頻結合電路原理(MMIC)、假晶高電子為了滿足電子時代發展的需求，搬遷率納米線管(pHEMT)、級聯數據分布式應用效率擴大器，在合適工作的的時可保證自偏置且具備IDQ可以偏置管理和收獲值控制改變。該擴大器的工作的的聲音頻率區間為DC至6 GHz，可以提供15 dB小的信號收獲值控制、27.5 dBm工作導出效率（1 dB收獲值控制收縮）、40 dBm典型的工作導出IP3和4 dB嘈音指數，進行VDD 12 V電電流值時顯卡功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz區域內的增加收益平整度（其最典型的值±0.5 dB時）十分優秀，然而十分適于軍事訓練、航天飛機和各種測試機器應該用。HMC637BPM5E還含有內部組織相配至50 Ω的投入/的輸出(I/O)，分為達到RoHS準則的5 mm × 5 mm LFCSP預制混凝土空腔封口，可與高發熱量表貼技術主設備(SMT)裝配線機器兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2