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CMPA0060002D不是種擁有氮化鎵（GaN）高網上移遷率多晶體管（HEMT）的單支微波通信集成型電路原理（MMIC）。與硅或砷化鎵相信較，GaN具備有十分優異的的機械性能，一般包括更大的損壞場強、更大的達到飽和狀態光電子漂移轉速與更大的導熱性指數公式。與Si和GaAs多晶體管較之較，GaN HEMT還供應更好的電率孔隙率和更寬的傳輸速率。CMPA0060002D用到分布圖式（導波）調小器裝修設計難點，也可以在更小的暫用的面積內實行極寬的傳輸速率。

特性

?17 dB小數據信息增益控制值

?2 W典型案例PSAT

?額定負載電流值高達獨角獸28V

?高穿透場強

?高溫高壓度在使用

?外形尺寸0.169 x 0.066 x 0.0049英寸

運用

?過寬帶擴大器

?光纖傳輸線動力器

?測試設施設備

?EMC放小器控制器器

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