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?第3代650 V裸片SiC MOSFET

更新事件：2025-01-03 16:57:39     訪問 ：630

行業界超過硬導通電阻器和旋轉開關損耗量，能夠保證最適的性能和效率硬度技術指標。

Wolfspeed不同第三方代650 V SiC MOSFET上升了其增碳硅（SiC）技藝上的核心實力地位。在更局面的供用電工程系統化中充分滿足身型更小、載重量更輕、更快效的供用電工程轉為。650 V SiC MOSFET是特點匠心產業電原、提供云主機/就是聯通線上電源線、新綠色能源電動伸縮車（EV）沖電系統設計、存儲機、應激電壓（UPS）和充電電池的管理設備等作用的適宜選澤。

的特征

溫度低區域的低導通電阻功率

低鉆入電容器

具有越來越低反向的方式給回康復的更高效二級管

持續不斷溫度高控制（Tj=175°C）

MOSFET.png

好處

利用懂得調整旋轉開關和傳送數據損失提生儀器效應

體現高按鈕開關幾率控制

提升系統化級公率比熱容參數值

影響控制系統規模；總重；和冷卻水追求

基本特征使用

實業電壓

提供服務器系統/聯通網絡上網絡上

新再生能源沖電樁裝制

儲能電池機器設備（ESS）

緊急救援電壓（UPS）

充電電池菅理機系統（BMS）

CREE科銳于2017年拆分出紅外光rf射頻項目Wolfspeed，以帶寬、大公率調大器商品為蘇州特色。

上海市立維創展科枝是CREE的供應商商，享用CREE紅外光電子元器件勝機供貨期推廣方式，企業信用提高原廠產品。

*部門形號需報考USA產品出口經營。詳情介紹熟悉更高技術參數，熱烈歡迎資訊立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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