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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A不是款密集型GaAs MMIC I/Q下軟啟動器器，選用無引腳RoHS兼容型SMT二極管封裝。 該功率器件出具13 dB小數據信息轉變成收獲，都具有25 dBc邊帶減弱。 HMC6147ALC5A選用低噪音污染變小器來控制I/Q混頻器，LO由X2倍頻器控制。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A有的是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下調頻器，采取了按照RoHS規范的12引腳、瓷器無鉛IC芯片各種載體(LCC)封裝形式。該電子元件供應14 dB的小手機信號改變收獲和25 dBc的iso鏡像阻止效果。HMC6789BLC5A采取了低低頻噪音調大器控制軟件I/Q混頻器，這其中LO由x2乘法器控制軟件

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E一款緊身型GaAs MMIC鏡象減弱低嘈音直流變頻空調器，分為符合規定RoHS規定的無鉛SMT打包封裝。 該功率器件保證13 dB的小訊號轉化增益值，17 dBc的鏡象減弱和-2 dBm鍵入IP3。 HMC1065LP4E根據RF LNA和由有源X2倍頻器控制的I/Q混頻器運行。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E就是款緊密型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，選取無鉛5 x 5 mm低彎曲應力注塑成型泡沫塑料表貼封裝。 該元器供給12 dB的小訊號轉換成增加收益、1.8 dB的噪聲污染指數和25 dBc的鏡像系統軟件阻止效果。 HMC1113LP5E選取LNA，后接由LO減慢器縮放器驅動包的鏡像系統軟件阻止混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B是款主體工程型GaAs MMIC I/Q下變頻器，應用適用RoHS原則的無引腳SMT封裝形式。 該電子元器件在全頻段的范圍內供應13 dB的小4g信號轉為增益值、2 dB的燥聲比率和24 dB的iso鏡像文件治理和改善效果。 HMC951B應用LNA，后接由LO緩存器增加器驅動安裝的iso鏡像文件治理和改善混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108就是款密集型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單心片微波rf射頻智能家居控制控制電路(MMIC)同相正交(I/Q)低低頻噪音裝換器，所采用適合RoHS規格的陶瓷廠家無鉛心片質粒載體芯片封裝。HMC8108將區域為9 GHz至10 GHz的rf射頻(RF)填寫4g移動信號裝換為輸入輸出web端60 MHz關鍵單端中頻(IF)4g移動信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE是款狹窄型I/Q MMIC混頻器，主要包括“無鉛”SMT芯片封裝，可以作鏡像系統抑制作用混頻器或一側帶到直流軟啟動器。 該混頻器主要包括三個標準化Hittite雙平衡性混頻器單元式和其中一個70度混電子元器件，均主要包括GaAs Schottky整流二極管加工工藝制造廠。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E是款家用suv型I/Q MMIC混頻器，應用“無鉛”SMT封裝類型，能夠用作鏡像系統緩和混頻器或單側戴上調頻器。 該混頻器應用多個標準Hittite雙穩定混頻器象限和一款 直角攪拌元器，均應用GaAs Schottky整流二極管流程產生。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 創立在Qorvo的氮化鎵新水平前提之端，該新水平可做到較高的高效率，可信性，效率和可生存模式性，并可降低料工費規格，載重量和料工費。每種FEM將主要的T / R方案技能集成化到一款緊身的芯片封裝中：T / R面板開關，效率縮放器和低躁聲縮放器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A就是款砷化鎵(GaAs)單存儲心片微波加熱集合電線(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，按照非常符合RoHS標準規定的24引腳、淘瓷無鉛存儲心片膜蛋白(LCC)封裝。該配件常用作映射抑止混頻器或單側隨身攜帶交流伺服控制器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191有的是款無源移動寬帶I/Q單處理芯片紅外光集成系統電線(MMIC)混頻器，可以用作吸收器鏡像系統抑止混頻器或發射衛星器單側帶著變頻器。HMC8191有著6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)範圍甚至DC至5 GHz的中頻(IF)速率，異常是和須得寬頻點範圍

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B是一種款家用suv轎車型GaAs MMIC I/Q混頻器，選取包含RoHS規范的無引腳SMT淘瓷打包封裝。 該電子元電子元器件能用作系統鏡像仰制混頻器或單側攜帶變頻柜器。 該混頻器選取好幾個規范雙發展混頻器摸塊和的180度混合法電子元電子元器件，均選取GaAs MESFET加工工藝創造。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4不是款高動態圖區間GaAs PHEMT MMIC高的英語輸出公率調大器，使用無引腳“無鉛”SMT芯片封裝。 該調大器還具有17至24 GHz的操作區間，供給22 dB增加收益、+26 dBm飽和輸出公率和23% PAE（+5V24v電源額定電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是一個款實用GaAs PHEMT MMIC控制調大器，用非常符合RoHS規范的無引腳SMT打包封裝。 該調大器用+5V單24v電源，增益控制值為15 dB，達到飽和狀態功效為+18 dBm。 在整工作的頻率段內有著完全一致的增益控制值和輸出精度功效

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4就是一款GaAs PHEMT MMIC驅動器變小器，進行無鉛4x4 mm表貼瓷質封口，本職工作頻點范圍內為5.5至17 GHz。 該變小器保證高達模型30 dB的收獲、+30 dBm的打印輸出IP3及+23 dBm的的打印輸出最大功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4就是款GaAs PHEMT MMIC推動變成器，所采用無鉛4x4 mm瓷器表貼封裝，事業頻繁 比率為5至20 GHz。 該變成器供應萬代高達21 dB的收獲控制、+29 dBm效果IP3及+22 dBm的效果耗油率（1 dB收獲控制降低時），功耗測試為180 mA（+5V開關電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498也是款高動態圖片條件GaAs PHEMT MMIC效率放縮器，辦公平率條件為17至24 GHz。 HMC498帶來了24 dB增益值，趨于穩定效率為+27 dBm，交流電源交流電壓為+5V (25% PAE)。 隨著大小較小，HMC498放縮器可放松集成化到多集成電路芯片信息模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596都是款兩極GaAs HEMT MMIC中低熱效率變小器，辦公概率范圍內為16至33 GHz。 HMC-APH596保證17 dB增益值，通過+5V交流電源輸入輸出時兼備+24 dBm輸入熱效率（1 dB縮減）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專程設計構思用作以輕柔的的直流電功效建立高OIP3。超規則化耐腐蝕性已在150MHz至3GHz的標準的頻段中實現證明怎么寫。RFGA2012具VBIAS引腳，容許用戶組對于其他讓優化調整空態感應電流。VBIAS引腳也能用的 作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024都是款高性InGaP HBT MMIC圖像調大電路板。RFGA0024的內部有源偏置電路板能接受圖像調大電路板簡單從5V24v電源做工作，并提供數據安全穩定的電流大小隨體溫變幻沒收違法所得理Beta變幻。這種達林頓圖像調大電路板的內部配對電阻值為50歐姆，越來越最適合要求小大小和合適外接部件的利用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014都是款高維持性InGaP HBT MMIC拖動器。RFGA0014的里面有源偏置電路板能夠拖動器之間從5V電源開關業務，并提供了維持的感應電流隨高溫發生變換并罰理Beta發生變換。是一款達林頓拖動器的里面適應電阻功率為50歐姆，尤其最適合要有小尺寸和更少第三方開關元件的廣泛應用。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為終極或動力器級應用軟件設計的的波形額定模擬輸出的功效放小器IC。該元器件運用含有側面等電位連接的無引線處理芯片各種載體。RF5633設計的中用在諸多的溫和額定模擬輸出的功效模擬輸出的標準內堅持波形。內部適配為2個頻段的模擬輸出的額定模擬輸出的功效展示 可以調整性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中上最大馬力應用軟件設計的的的非線性最大馬力圖像功率放小器IC。該集成電路芯片采取高端的InGaP異質結雙極晶狀體管（HBT）加工制作工藝 制作，設計的的做為802.16e火箭發射器的終究微波射頻圖像功率放小器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827不是款基礎，低投資成本，高線形度的RF變大器IC。該元件用到砷化鎵制作工藝打造，用到3mm x 3mm，16引腳QFN芯片封裝。它相對很適合充當線形/低噪音變大器，里面OIP3等于638dBm，噪音公式大于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是一種款快速率砷化鎵異質結雙極晶狀體管（HBT）變小器，主要采用低利潤漆層貼裝芯片封裝。該變小器極為適宜于可以200MHz至3GHz率的范圍內的高線型度和低嗓聲標準值的應用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223都是款采取成本更低價表層貼裝封口的高效率GaAs異質結雙極尖晶石管（HBT）放小器。該放小器比較適于于需用500MHz至3GHz頻帶寬度依據內的高波形度和低環境噪聲比率的運用。RF3223采取單5V外接電源輸電，采取市場經濟的3mm x 3mm QFN封口。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220一款科學規范率砷化鎵異質結雙極尖晶石管（HBT）變成器，使用低投資成本單單從表面貼裝裝封。該變成器非常的使用于必須要 500MHz至3GHz概率位置內的高直線度和低環境噪聲指數公式的應用領域。RF3220使用單5V電源線供水，使用實惠的3mm x 3mm QFN裝封。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是針對于3V手拿式體統的高輸出高效能率波形縮放器IC。該電子器件采用了最新的砷化鎵異質結雙極結晶體管（HBT）加工過程研制，設計的用來雙方法3V CDMA / AMPS手拿式數字式蜂窩設施設備擴頻體統和同一廣泛應用中的既定RF縮放器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000都是款集合化式限幅器/ LNA，可在2-20GHz次數面積內供應穩盈，高耐磨性。QPM1000在收獲控制下供應17 dB的小數據信息收獲，在大部分次數面積內具有著1.7 - 4 dB的嘈音公式，> 18 dBm P1dB。除此之外，集合化限幅器供應達到4 W的入射電機功率的穩盈性技術，而會減小耐磨性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM建成于1997年14月，由一大幫在徽波射頻電路板制作和徽波射頻電子器件營造技巧因素技術 充實的徽波射頻制作師組合而成。它最靠近韓國馬里西安蓋瑟斯堡，距華盛頓西南約20英里。該平臺看做當先的徽波射頻制作集體擁有盛譽，該集體屬于瓦數FET，MMIC瓦數圖像調小器電路各類帶RF和DC接觸器的高瓦數圖像調小器電路模快圖片，哪些模快圖片已做好準備功能強大于徽波射頻機系統。